SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발…‘내년부터 본격 공급’
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SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발…‘내년부터 본격 공급’
  • 황병준 기자
  • 승인 2019.10.21 13:46
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업계 최고 수준 용량·속도 갖춰…2세대보다 생산성 27% 향상
EUV 없이 생산 가능, 경쟁력 갖춰…연내 양산 준비 완료 계획
SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램. 사진=SK하이닉스 제공
SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램. 사진=SK하이닉스 제공

[매일일보 황병준 기자] SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gbit) 더블데이터레이드(DDR)4 D램을 개발했다.

SK하이닉스는 올해 안으로 양산 준비를 완료해 내년부터 본격적으로 양산에 돌입할 예정이라고 21일 밝혔다.

이번에 개발된 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 통해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 D램 중 가장 크다고 회사 측은 설명했다. 

또한 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다고 덧붙였다.

SK하이닉스는 EUV를 갖춘 생산라인을 내년 하반기 가동할 예정이지만 3세대 D램에 적용하지는 않을 계획이다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.

이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.


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