신제품·신공정 개발로 불황 정면돌파
[매일일보 김덕호 기자] 한국 반도체 제조사의 '격'(隔·차이) 쌓기가 쉼 없이 이어지고 있다. 중국의 반도체 굴기가 힘을 잃었고, 올 1분기 어닝쇼크가 예상되는 상황에서도 기술 초격차 확대에 나섰다.
18일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스의 투자가 이어지고 있다. 삼성전자는 지난해 결정한 100조원 규모 평택 2라인(30조원)·3·4라인 증설 계획을 이행중이고, SK하이닉스는 이날 중국 우시의 D램 생산라인 C2 확장 공장을 준공했다.
이외에도 5나노 EUV 생산체제 구축(삼성전자), 용인 반도체 클러스터 조성(SK하이닉스) 등 미래 시장 주도권 확보를 위한 움직임도 진행중이다.
지난해에는 양사 합계 20조원이 넘는 R&D 투자액을 기록했다. 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자의 연구개발비는 18조6620억원이었고, SK하이닉스는 2조8949억원을 연구개발비로 사용했다.
이같은 투자는 가격과 기술력 ‘초격차’를 유지하기 위한 움직임이다. 몰락한 일본 반도체 업체들의 선례를 교훈 삼고, 중국 등 후발 주자와는 거리 벌리기에 나서는 것이다.
삼성의 ‘초격차’는 앞선 기술력에서 여실히 나타난다.
삼성전자는 3D 낸드플래시의 단면을 기존 60~70단에서 90단 이상으로 늘리는 적층 확대 기술을 상용화했다. 올해에는 128단 개발에 나서는 등 기술력 강화를 멈추지 않는다. 기술을 토대로 업계 최초로 32TB SSD 양산을 시작했다.
반면 중국 메모리업체의 생산 능력은 32단에 멈춰있다. 연내 64단, 오는 2020년 128단 3D V낸드 메모리를 양산하겠다는 계획을 세웠지만 현실화될지는 미지수다.
핵심 부품, 센서, 마스크 등의 공정을 직접 처리하는 비율을 늘리면서 경쟁사들이 공정을 따라하는 비율(공정카피율)도 크게 낮췄다. 과거 70~80%가량 일치하던 반도체 생산 공정 카피율을 30% 미만으로 떨어뜨리는 데 성공하면서 후발업체들에 대한 진입장벽을 높였다.
메모리 분야 집중에 대한 우려는 파운드리와 시스템LSI 등 비메모리 분야 육성을 통해 해결한다는 전략이다. 7나노와 5나노 EUV(극자외선) 기술 개발을 통해 경쟁력을 높이겠다는 계획을 세웠다.
이 사이 중국의 반도체 업체들은 미국 정부의 제재 대상이 됐다. 미국이 중국으로의 반도체 장비 수출을 금지하면서 중국의 반도체 굴기는 현실성을 잃었다.
SK하이닉스는 이날 중국 우시 공장의 확장공사를 마무리하고 가동에 들어갔다. 지난해 10월에는 충북 청주 M15 공장을 완공했고, 72단 3D 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다. 향후에는 5세대 96단 4D 낸드 양산도 생산할 계획이다.
이외에도 내년 준공 예정인 M16 공장, 반도체 클러스터 조성 등 미래 밑그림도 그리고 있다. 4개 팹을 신설하는 120조원 규모 투자 계획도 세웠다.
