美마이크론, 5세대급 'HBM3 Gen 2' 샘플링…추격 박차
매일일보 = 김명현 기자 | 삼성전자가 생성형 인공지능(AI) 구동에 필수인 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 강화에 속도를 내고 있다. 메모리 업계 3위인 미국 마이크론 역시 HBM 기술 추격에 고삐를 죄는 모습이다.
22일 업계에 따르면 삼성전자는 5세대 HBM D램인 'HBM3E' 샘플을 주요 고객사에 제공하며 양산에 대비하고 있다. 차세대 제품에 대한 경쟁력 강화로 HBM 시장에서 패권을 거머쥔다는 목표다. 현재 4세대 제품인 'HBM3' 8단과 12단 제품을 양산 중이다.
삼성전자는 HBM3E를 '샤인볼트'로 명명했다. 샤인볼트는 지난 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 개최된 '삼성 메모리 테크 데이 2023'서 최초로 공개됐다. 이는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공한다. 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 1.2TB는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다.
삼성전자 측은 샤인볼트에 대해 "NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다"고 설명했다.
삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 '턴키 서비스'로 수주 확대를 노릴 계획이다. 메모리, 파운드리 등 사업 강점을 살려 시너지를 극대화려는 전략이다.
마이크론도 지난 7월 업계 최초로 초당 1.2TB 이상의 대역폭과 9.2Gb 이상의 핀 속도를 갖춘 'HBM3 Gen 2' 메모리의 샘플링을 시작했다고 밝힌 바 있다. 이는 HBM 5세대급이다. 마이크론에 따르면 이는 현재 출시된 HBM3 대비 50%, 이전 대비 와트당 성능이 2.5배 향상됐다.
마이크론은 경쟁사 대비 7년가량 뒤처진 2018년에 HBM 투자를 시작했다. 지난해 10월에는 3세대 수준인 'HBM2E' 양산을 시작했다고 밝힌 바 있다. 업계에서는 마이크론이 후발주자지만 HBM에 집중 투자해 기술력을 빠르게 끌어올리고 있다는 평가가 나온다.
한편 올해 HBM의 시장 점유율은 SK하이닉스 52%, 삼성전자 43%, 마이크론 5%를 기록할 것이란 전망이 나온다. 앞서 시장조사업체 트렌드포스는 SK하이닉스와 삼성전자가 HBM 시장에서 올해 46~49%, 내년 47~49%로 비슷한 점유율을 기록할 것으로 추산했다.
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