하이닉스, 업계 최고속도 D램 개발…日 규제에도 기술로 승부수
[매일일보 황병준 기자] 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업체들은 올해 R&D(연구개발)를 확대하고, 제품 경쟁력을 강화해 기술 초격차를 유지한다는 전략을 펼치고 있다.
21일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 상반기에 R&D 비용으로 10조1267억원을 사용했다고 최근 공시했다. 상반기 기준으로 처음 10조원을 넘어선 것으로, 매출에서 차지하는 비중도 9.3%를 기록했다.
삼성전자는 최근 일본의 소재 수출 규제에도 불구하고 다음달 4일 일본 도쿄에서 열리는 ‘파운드리 포럼 2019 재팬’ 행사도 예정대로 진행한다. 이 자리에서 EUV(극자외선) 기반의 7나노 생산 제품 및 5나노 기술 등을 소개할 전망이다.
삼성전자는 지난 4월 시스템 반도체에 133조원을 투자해 2030년까지 글로벌 1위를 차지하겠다고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 지난 12일 1억 화소 벽을 넘은 모바일 이미지센서 ‘아이소셀 브라이트 HMX’를 출시했다. 초소형 0.8마이크로미터 크기의 픽셀을 적용한 센서로 상반기 발표한 ‘아이소셀 브라이트 GW1’ 보다 1.6배 늘어난 1억800만 화소다. 이는 경쟁상대인 일본의 소니보다 월등히 앞선 기술이다.
삼성전자는 올해 파운드리 분야에서는 세계 최초로 7나노 EUV(극자외선) 공정 기반으로 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 출하에 성공했다. 또한 차량용 반도체 분야에서도 기능안전국제 표준 인증을 획득했고, 엑시노스 오토 8890 제품은 아우디 신형 A4에 탑재될 예정이다.
SK하이닉스도 올해 업황 부진에도 불구하고 R&D 투자를 늘리면서 향후 경쟁력을 강화하고 있다.
SK하이닉스도 올 상반기 R&D에 1조5315억원을 투자했다. 지난해 연간 기준(2조8949억원)의 절반을 넘어섰고 매출 대비 R&D 비중도 11.6%로 지난해 대비 4.4%p 증가했다.
SK하이닉스는 최근 업계 초고 속도의 고대역폭 메모리인 ‘HBM2E D램’ 개발에 성공했다. 이는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 높인 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 'HBM2'보다 속도를 50% 높였다.
업계 관계자는 “삼성전자와 하이닉스 모두 업황이 어려울수록 기술 경쟁력을 확보해 기술 초격차를 유지하겠다는 전략”이라며 “최근 일본의 소재 수출 규제도 국산 대체재 개발 등을 통해 이를 극복할 것으로 보인다”고 말했다.
