인텔, STT-M램 공개…하이닉스 “시장 상황 예의 주시”
[매일일보 황병준 기자] 차세대 메모리 반도체 시장에서 삼성전자와 인텔이 한 발 앞서나가고 있다. 삼성전자는 최근 내장형 M램(eMRAM) 솔루션 제품을 양산하기 시작했고, 인텔도 22나노 STT-M램(스핀 주입 자화 반전 자기 저항 메모리)을 공개하며 차세대 반도체에 대한 경쟁에 뛰어들었다. 하지만 글로벌 D램 시장 2위 SK하이닉스는 이 시장 경쟁에 대한 구체적인 일정을 내놓지 못하고 있다.
19일 업계에 따르면 인공지능(AI), 자율주행 등 고성능 반도체 수요가 늘어나면서 비휘발성과 D램 수준의 빠른 처리를 통해 차세대 메모리 반도체로 여겨지는 M램에 대한 관심이 높아지고 있다.
M램은 자기저항을 이용해 만든 비휘발성 메모리다. 자료 처리 속도가 빠르고 소비 전력이 적다는 강점이 있다. 또 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 D램과 전원이 꺼져도 지워지지 않는 플래시 메모리의 장점을 함께 갖고 있어 향후 D램과 플래시메모리를 대체할 차세대 메모리로 주목받고 있다.
삼성전자는 지난 6일 내장형 플래시메모리보다 1000배 빠른 데이터 쓰기 속도를 구현한 차세대 내장형 M램을 출하했다.
삼성전자가 선보인 eM램 솔루션은 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정을 통해 만들어졌다. 삼성전자는 올해 안에 1Gb eM램 데스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대할 방침이다.
인텔은 지난달 말 열린 ISSCC(국제고체회로학회)에서 22나노 핀펫(FinFET) 공정을 채택한 내장형 STT-M램에 대한 기술 세부 사항을 공개했다. 업계에서는 인텔이 삼성전자와 함께 M램 시장을 이끌것으로 전망하고 있다.
반면 SK하이닉스는 아직 출시에 대한 일정을 잡지 않고 있다. SK하이닉스 관계자는 “차세대 메모리는 다양하게 준비하고 있다”며 “시장 상황에 맞춰 제품을 출시할 예정이며, 모든 상황에 따라 대응하고 있다”고 말했다. SK하이닉스는 일본의 도시바와 공동으로 M램을 개발하고 있는 것으로 알려졌다.
하지만 일각에서 SK하이닉스가 차세대 반도체 시장에 대한 준비가 늦어지고 있는 것 아니냐는 분석이 제기되고 있다.
업계 한 관계자는 “차세대 반도체에 대한 수요가 늘어나면서 M램에 대한 수요도 함께 늘어날 것”이라며 “하지만 현재 사용되는 D램이 수요가 M램 시장으로 급격히 흘러가기에는 시간이 좀 더 걸릴 것”이라고 말했다.
