[매일일보 최수진 기자] 삼성전자 고위급 임원이 회사 내부의 반도체 기술을 몰래 빼돌린 혐의로 구속됐다. 기업의 기술 유출에 대한 고민이 더욱 커지고 있다.
23일 삼성전자 등에 따르면 이 모 삼성전자 전무에 대해 경기남부지방경찰청 국제범죄수사대는 산업기술 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 혐의로 구속영장을 신청했다. 수원지방법원은 이씨에 대한 구속 영장을 발부했다.
이씨는 삼성전자 비메모리 반도체 분야 품질담당 전무로 일한 것으로 알려졌으며, 애플리케이션 프로세서(AP) 기술 자료 수천여장을 복사해 유출하려다 덜미가 잡혔다.
이씨가 빼돌리려던 기술을 삼성전자만 보유한 기술로 시스템반도체인 LSI 14나노의 전체 공정 흐름도이다. 아직 출시가 되지 않은 갤럭시 S8에 적용될 LSI 10나노의 제품 정보도 포함돼 있는 것으로 전해졌다.
지난 7월 이씨는 경기도 용인 기흥 삼성전자 캠퍼스에서 반도체 기술 관련 자료를 복사해 업무용 차량에 싣고 나오던 중 보안 수색에 걸렸다.
삼성전자는 이씨에 대해 자체 감사를 거친 뒤 경찰에 고소했다.
경찰은 이씨의 자택도 수색해 관련 자료 전량을 확보했다.
이씨는 삼성전자의 반도체 기술을 중국의 한 회사에 유출하려고 한 것으로 조사됐다. 이에 따라 경찰은 과거에도 기술을 유출했을 가능성을 두고 수사를 진행하고 있다.
또 이씨는 공금을 유용한 혐의도 추가로 파악된 것으로 알려졌다.
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